超薄压电MEMS散热器及芯片级热管理方法研究
“优秀设计”一等奖
资助企业:
娄旷科技(上海)有限公司
资助年份: 2026
企业导师: 张跃辉
指导教师: 张文明
项目成员: 于浩宁 夏宇航
项目简介
项目概述
随着后摩尔时代电子系统持续向高集成度、高功率密度和小型化方向发展,芯片级热管理已成为制约消费电子、高性能计算与微型智能终端性能释放的重要因素。智能手机、平板电脑和轻薄笔记本等设备内部空间不断压缩,而处理器、射频芯片和电源管理模块等局部热源的功耗密度持续升高,形成了“高热流密度—小型化空间—局部热点集中”的突出矛盾。传统被动散热方式在有限厚度和瞬态热负载条件下响应能力不足,常规主动风冷与液冷方案又受到体积、噪声、复杂流道、系统集成和长期可靠性等因素限制。因此,亟需发展一种面向芯片级局部热点的微型化、低功耗、低噪声、易集成主动散热技术。
项目目标
本项目采用“理论分析-数值模拟-实验验证”相结合的方法开展研究。首先,通过理论分析明确合成射流的机理与条件,确定样机模型的尺寸范围和动力学特性。其次,基于COMSOL软件进行多物理场建模与仿真,分析合成射流的结构条件、振动频域、气流特性及温度场分布,并结合现代算法进行优化设计,为实验提供理论依据。然后,基于MEMS工艺设计制作超薄压电散热器样机,通过实验测试其在不同工况下的气流输出与散热性能,实验数据将用于验证仿真结果,并迭代优化样机设计,以提升其在微电子散热应用中的可靠性与有效性。
项目成果
本项目面向高功率密度芯片局部热点散热需求,提出了一种基于零净质量合成射流的超薄压电MEMS散热器。研究表明,该器件可在受限空间内形成定向射流,扰动芯片表面热边界层,提升局部换热能力。通过多物理场仿真与结构优化,明确了振子尺寸、多气孔结构、背腔结构及射流布置对散热性能的影响规律,并完成样机制作、驱动电路设计和实验验证。同时,项目分析了流量衰减、振幅下降、频率漂移和界面损伤等长周期失效特征,为器件寿命预测、结构改进和可靠性增长提供了指导。
本项目已申请国家专利3项,发表相关论文1篇,正在撰写相关一作论文2篇,并获中国大学生机械工程创新创意大赛·第九届“精雕杯”毕业设计赛团队铜奖,获推2026中国国际大学生创新大赛(已入围省赛)。





